EPC2019
Active - GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Описание:
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
EPC2019 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
200 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
8.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 1.5mA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
2.9 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
288 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
-
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
Die
EPC2019 Инвентарь: 4200
5.0 / 5.0
2023-03-28 12:07
Не проверял
2023-04-06 08:34
Забирая.
2023-04-05 04:05
Приехали через 12 дней, рекомендую продавцу.
2023-04-04 10:02
Чипсы исправны, месяц доставки, упаковка полиэтиленового пакета, трек-номер не отслеживается в России, только в Китае.
2023-03-28 12:45
Программируемый и работающий, хорошо пасущийся.
Russian Federation
