EPC2219
Active - TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Описание:
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2219 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
65 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
500mA (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 100μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
0.064 nC @ 5 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
10 pF @ 32.5 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
-
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
Die
Kazakhstan
