EPC8002
Active - GANFET N-CH 65V 2A DIE
Описание:
GANFET N-CH 65V 2A DIE
EPC8002 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
GaNFET (Gallium Nitride)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
65 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
2A (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
5V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
-
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
21 pF @ 32.5 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
-
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
Die
EPC8002 Инвентарь: 38200
5.0 / 5.0
2023-03-23 10:09
Товар получен, проверить пока не представляется возможным, друг попросил получить посылку, так как Сам все еще находится в командировке... Я отпишусь немного позже
2023-03-22 08:53
Очень доволен товаром, спасибо большое продавцу.
2023-03-25 01:08
Элемент, как описано. Измерено тестером транзистора, сопротивление открытого канала 1,2 Ом. Доставка не долгая. Советую товар и продавцу.
2023-03-24 07:06
Через две с половиной недели с момента заказа трек был отслежен частично. Упакованы в почтовые и целлофановые мешки. Описание и количество соответствует. Я подключил 1 транзистор к тестеру для тестового распознавания, работающего.
2023-03-20 06:05
Все нормально!
Russian Federation
