Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Дискретные полупроводники  /  Транзисторы - FETs, MOSFETs - RF  /  Integra Technologies IGN1011L70

IGN1011L70

Active Icon Active - GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
IGN1011L70
IGN1011L70
Integra Technologies
Изготовитель:
Часть Mfr #
даташит:
Описание:
GAN, RF POWER TRANSISTOR, L-BAND
 
3D Model Icon

IGN1011L70 Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Bulk
Статус продукта
Active
Тип транзистора
GaN HEMT
Частота
1.03GHz ~ 1.09GHz
Прибыль
22dB
Напряжение - Тест
50 V
Текущий рейтинг (Amps)
-
Коэффициент шума
-
Ток - Тест
22 mA
Мощность - Выход
80W
Напряжение - номинальное
120 V
Тип монтажа
-
Корпус
PL32A2
Корпус устройств поставщика
PL32A2

IGN1011L70 Инвентарь: 45200

История Цена
$222.00000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-11-10 08:46
Все прошло хорошо. Опционально проверяется несколько транзисторов-ОК. Я буду использовать в своей доле!
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-06-17 07:43
Товар доставлен в ekb менее чем за 30 дней
Еще не проверил
продавцу-спасибо, рекомендую покупать у него
я сам покупаю у него не первый раз
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-08-08 04:08
Не проверял
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-12-07 06:19
Рекомендую продавца, регуляторы – это то, что нужно.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-08-24 09:50
Заказ получен. Почта попыталась вымыть посылку. Польза от деталей очень мала и они не пострадали. Просто развалился.

IGN1011L70 Связанные детали

IGN1214L500B
IGN0912LM500
IGN1011L1200
IGN1011L70
IGN1214M300
IGN2729M400R2
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *