IRF123
Active - N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Описание:
N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
IRF123 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
7A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
400mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
600 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
40W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-3
IRF123 Инвентарь: 43600
5.0 / 5.0
2023-04-03 14:46
Как описано, я
попробую на работе.
2023-04-04 20:30
Быстрая доставка. Элемент, как описано. Продавец Спасибо. Рекомендую.
2023-03-31 23:59
Все хорошо, как описано.
2023-04-01 04:48
Собрали и отправили посылку очень быстро в магазине хорошо
2023-03-31 08:09
Для страны без переопределения. Упакованный в ведро, Насип. Як результат - жевательная резинка была приставана Таку, что они были нелегко распределены.
Russian Federation
