ISL6612AECB
Obsolete - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
Описание:
HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
ISL6612AECB Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10.8V ~ 13.2V
Логическое напряжение - VIL, VIH
-
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
1.25A, 2A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
36 V
Время подъема / падения (тип.)
26ns, 18ns
Рабочая температура
0 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
Корпус устройств поставщика
8-SOIC-EP
Ukraine
