1N3595US
Active - DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
Описание:
DIODE GEN PURP 4A B SQ-MELF
1N3595US Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
-
Ток - средний ректификованный (Io)
4A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1 V @ 200 mA
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
3 μs
Ток - обратная утечка @ Vr
1 nA @ 125 V
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
B, SQ-MELF
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 150 ℃
1N3595US Инвентарь: 16800
5.0 / 5.0
2023-04-04 11:28
Доставка на почту в Москве за 24 дня.
Количество мостов соответствует указанным - 20 шт. Упакованы в пузырьковую пленку воздуха.
Хочу отметить стоимость: сложно найти дешевле.
2023-03-30 19:49
Работа. Доставка в Москву менее месяца.
2023-04-03 14:46
Как описано, я
попробую на работе.
2023-04-04 20:30
Быстрая доставка. Элемент, как описано. Продавец Спасибо. Рекомендую.
2023-03-31 23:59
Все хорошо, как описано.
Russian Federation
