1N6763
Active - DIODE GEN PURP 100V 12A TO254
Описание:
DIODE GEN PURP 100V 12A TO254
1N6763 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Серия
Military, MIL-PRF-19500/642
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
100 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.05 V @ 12 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
35 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 100 V
Емкость @ Vr, F
300pF @ 5V, 1MHz
Корпус
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Корпус устройств поставщика
TO-254
Рабочая температура - переход
-55 ℃ ~ 175 ℃
1N6763 Инвентарь: 48600
5.0 / 5.0
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
2023-03-21 01:08
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-23 10:09
Высокое качество рекомендуется использовать.
Ukraine
