1N6779
Active - DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 15A TO257
1N6779 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
600 V
Ток - средний ректификованный (Io)
15A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.6 V @ 15 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
60 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 480 V
Емкость @ Vr, F
300pF @ 5V, 1MHz
Корпус устройств поставщика
TO-257
Рабочая температура - переход
150 ℃ (Max)
1N6779 Инвентарь: 8300
5.0 / 5.0
2023-03-24 01:07
Транзисторы хорошего качества. Продавец Спасибо. Рекомендую.
2023-03-22 01:15
Прекрасно! Транзисторы на 100% оригинальны и работают. Вариация параметров минимальна, и это при том, что все транзисторы из разных партий. Собрать пару вовсе не проблема. Длина проводов достаточна для монтажа без рукоделия. Товар и продавец однозначно рекомендую!
2023-03-25 02:02
Доставили быстро, как описано, довольны продуктом.
2023-03-24 00:02
Хороший продавец. Быстрая доставка. Цена соответствует качеству.
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
Russian Federation
