2N3506A
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Описание:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3506A Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
3 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
40 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
1.5V @ 250mA, 2.5A
Ток - отсечка коллектора (Макс)
1μA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
50 @ 500mA, 1V
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Корпус устройств поставщика
TO-39
Russian Federation
