2N3637
Active - NPN POWER SILICON TRANSISTORS
Описание:
NPN POWER SILICON TRANSISTORS
2N3637 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
1 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
175 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
600mV @ 5mA, 50mA
Ток - отсечка коллектора (Макс)
10μA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
100 @ 50mA, 10V
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Корпус устройств поставщика
TO-39
Russian Federation
