2N4112

Active - POWER BJT
2N4112 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
5 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
60 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
1.5V @ 500μA, 2mA
Ток - отсечка коллектора (Макс)
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-204AD (TO-3)
2N4112 Инвентарь: 44900
5.0 / 5.0

2023-03-15 12:47
Микросхемы хорошие, одна уже установлена вместо DV/DC, сгоревшей в ее опускании, все работает отлично. Чипсы и продавца рекомендуют!

2023-03-17 01:08
Спасибо. Все отлично!

2023-03-16 06:53
Хороший NAND, только 1BB, спасибо, я закажу больше.

2023-03-16 14:04
Спасибо!<br>Пришли быстро, в хорошей упаковке и поэтому целые.

2023-03-16 03:04
Очень хорошо. Доставлено рано.