2N5006

Active - POWER BJT
2N5006 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
10 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
80 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
900mV @ 500μA, 5mA
Ток - отсечка коллектора (Макс)
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус
TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Stud
Корпус устройств поставщика
TO-61
2N5006 Инвентарь: 35900
5.0 / 5.0

2023-03-25 02:02
Доставили быстро, как описано, довольны продуктом.

2023-03-24 00:02
Хороший продавец. Быстрая доставка. Цена соответствует качеству.

2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.

2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.

2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!