2N5560
Active - POWER BJT
2N5560 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
30 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
120 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
-
Ток - отсечка коллектора (Макс)
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус
TO-211MB, TO-63-4, Stud
Корпус устройств поставщика
TO-63
2N5560 Инвентарь: 20450
5.0 / 5.0
2023-03-16 03:04
До ЕЦБ приказ занял 25 дней. Все как описано.
2023-03-14 08:06
Да, похоже, что программист определился
2023-03-16 03:09
Большое спасибо
2023-03-16 18:01
Отличное описание, быстрая доставка спасибо
2023-03-16 02:25
Все микрохими робочи, три на десять маююка 0 ВВ, один на 13 ВВ, другой на 2-5 ВВ, навсегда. Рекомендовать
Russian Federation
