2N5599

Active - POWER BJT
2N5599 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
80 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
850mV @ 200μA, 1mA
Ток - отсечка коллектора (Макс)
-
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
-
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-66 (TO-213AA)