2N5661P

Active - POWER BJT
2N5661P Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
2 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
300 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
800mV @ 400mA, 2A
Ток - отсечка коллектора (Макс)
200nA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
25 @ 500mA, 5V
Рабочая температура
-65 ℃ ~ 200 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-66 (TO-213AA)
2N5661P Инвентарь: 39500
5.0 / 5.0

2023-03-02 02:37
Все в порядке. Хороший продукт. Хороший продавец.

2022-12-16 18:07
Получено нормально, многие ноги были согнуты должным образом произошло, когда ic чип был вдавлен в антистатическую пену для транспортировки

2023-03-02 02:35
Доставка быстрая, комбинированный еще не проверен.

2023-03-01 02:08
У меня не было времени проверить. Все целиком. Срок поставки 1,3 месяца.

2023-02-06 04:04
Не проверял