APT58M80J
Active - MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Описание:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
APT58M80J Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
800 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
60A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 5mA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
17550 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
960W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
SOT-227
Корпус
SOT-227-4, miniBLOC
APT58M80J Инвентарь: 29400
5.0 / 5.0
2023-03-17 01:08
Как описано. Не проверял.
2023-03-19 01:02
Товар был доставлен так, как описано, благодаря продавцу.
2023-03-18 12:07
Доставка продавцу
2022-10-03 08:15
Все, как описано
2023-03-16 03:07
Третье лицо и в каждом 10,% брака.
Russian Federation
