TC4422EMF
Active - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
Описание:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFN
TC4422EMF Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Управляемая конфигурация
Low-Side
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
4.5V ~ 18V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
9A, 9A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
-
Время подъема / падения (тип.)
60ns, 60ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-VDFN Exposed Pad
Корпус устройств поставщика
8-DFN-S (6x5)
TC4422EMF Инвентарь: 35600
5.0 / 5.0
2023-05-17 08:36
Мы сделали это за 21 день в консолидированном лагере, пакування блистер на мешки с пупыркой, не перевязанные в роботах, и я думаю, что все будет хорошо.
2023-05-16 01:23
Пришел быстрее, чем ожидалось
2023-05-16 01:17
Транзисторы проверены, все в исправном состоянии. Рекомендую продавца и магазин.
2023-05-18 13:19
Только оригинальная продукция! Оригинальные IGBT-транзисторы. Я вставил его в сварочный инвертор! Отлично работает! Заказывайте друзей! Не стесняйтесь! 100% оригинал!
2023-05-21 03:11
Спасибо, что прибыли быстро, как описано
Ukraine
