NTE3310
Active - IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
Описание:
IGBT-N-CHAN ENHANCEMENT
NTE3310 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
600 V
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
415 A
Ток - коллектор импульсный (Icm)
30 A
Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
4V @ 15V, 15A
Тип входного сигнала
Standard
Td (on/off) @ 25℃
400ns/500ns
Обратное время восстановления (trr)
-
Рабочая температура
150 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
Through Hole
Корпус устройств поставщика
TO-3P
NTE3310 Инвентарь: 8600
5.0 / 5.0
2023-03-02 08:06
Пришел, число соответствует, транзисторы работают, они держат 0,5А, при этом токе они точно усиливаются в 70 раз, может быть, больше, не знаю об остальных, спасибо.
2023-03-02 02:38
Измеренные нормальные транзисторы еще не применялись.
2023-03-03 04:06
Привет! Приехали по заказу! Рекомендую обратиться к этому продавцу!
2023-03-03 00:13
Товар поставлен, спасибо продавцу.
2023-03-01 15:37
Товар был доставлен очень быстро, соответствие с описанием. Я куплю больше.<br>Пункт получен в кратчайшие сроки, как описано. Я куплю больше.<br>Крышка
Russian Federation
