NTE507
Active - DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
Описание:
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41
NTE507 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
50 V
Ток - средний ректификованный (Io)
1A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 1 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
200 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
5 μA @ 50 V
Корпус
DO-204AL, DO-41, Axial
Корпус устройств поставщика
DO-41
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 150 ℃
Russian Federation
