NTE5811
Active - DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
NTE5811 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1200 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.26 V @ 38 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
12 mA @ 1200 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5811 Инвентарь: 15050
5.0 / 5.0
2023-03-24 00:02
Хороший продавец. Быстрая доставка. Цена соответствует качеству.
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
2023-03-21 01:08
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
Belarus
