NTE5818
Active - DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
NTE5818 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
200 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.4 V @ 12 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
400 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
25 μA @ 200 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5818 Инвентарь: 7000
5.0 / 5.0
2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
2023-03-21 01:08
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-23 10:09
Высокое качество рекомендуется использовать.
2023-03-25 01:04
Взял его в запас. Внешне выглядите прилично.
Ukraine
