NTE5819
Active - DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
NTE5819 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
200 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.4 V @ 12 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
400 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
25 μA @ 200 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5819 Инвентарь: 550
5.0 / 5.0
2023-03-25 01:09
Заказ не дошел до меня!
2023-03-24 01:12
Хорошо работают транзисторы, отремонтирован блок питания компьютера. Рекомендовать!
2023-03-23 10:13
Все хорошо
2023-03-26 01:15
Доставка очень быстрая, в упаковке. Упаковано хорошо. Каждый тип в отдельной сумке. Порядок совпадает. Доволен заказом. Магазин и продавец рекомендуют.
2023-03-23 05:57
Я очень доволен, что продавец хорошо порекомендовал
Russian Federation
