NTE5831
Active - DIODE GEN PURP 50V 3A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 50V 3A DO4
NTE5831 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
50 V
Ток - средний ректификованный (Io)
3A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 3 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 50 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5831 Инвентарь: 16700
5.0 / 5.0
2023-03-20 01:02
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-20 01:02
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-18 10:25
Они взяли швидко, не переигрывая. О вигляде норм.
2023-03-19 00:07
50/50 как в аптеке
2023-03-20 01:03
Рабочие, проверенные выборочно. Можно принимать.
Russian Federation
