NTE5833
Active - DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 100V 3A DO4
NTE5833 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
100 V
Ток - средний ректификованный (Io)
3A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 3 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 100 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5833 Инвентарь: 38400
5.0 / 5.0
2023-04-03 14:16
Довольны продуктом!
2023-03-30 13:52
Еще большое спасибо за быструю доставку! Рекомендую продавца!!!
2023-03-30 07:19
Это действительно p-канальные МОП-транзисторы, за 2,5 недели до Красноярска, прислали 103 ПК. Отремонтировал у сына внешнее зарядное устройство для Xbox.
2023-03-30 07:22
Как описано. Доставка в течение 27 дней. Спасибо.
2023-04-03 14:45
LM, как описано, не проверено в работе. Брали за светодиоды. Всего здоровья и удачи!
Russian Federation
