NTE5853

Active - DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 100V 6A DO4
NTE5853 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
100 V
Ток - средний ректификованный (Io)
6A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.1 V @ 19 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
12 mA @ 100 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5853 Инвентарь: 37300
5.0 / 5.0

2023-01-28 23:05
Получено очень быстро. Еще не запрограммировано.

2023-01-28 04:06
Дерьмо полное. Я поставил его в блок питания. Я включаю его под защитной лампой. Через секунду загорается лампа, транзистор для выброса. Я нахожу старого Бу. Я ставлю, чтобы все работало. К сожалению, мне все еще хотелось посмотреть на старый внутри.

2023-01-29 00:08
Не тестировался под напряжением

2023-01-24 15:06
Отлично! Быстрая доставка. Я получил все, рекомендую.

2023-01-28 03:07
С высоким он слился с музами центра Дорни, который имеет частоту дискретизации 40 кГц, поэтому они не лгали об универсальности в даташе, он уйдет практически куда угодно.