NTE5870
Active - DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 50V 12A DO4
NTE5870 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
50 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.26 V @ 38 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
12 mA @ 50 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5870 Инвентарь: 45800
5.0 / 5.0
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
2023-03-21 01:08
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-23 10:09
Высокое качество рекомендуется использовать.
2023-03-25 01:04
Взял его в запас. Внешне выглядите прилично.
2023-03-25 01:07
Все проверено продуктом Super Store рекомендую
Russian Federation
