NTE5890
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
NTE5890 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1000 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.26 V @ 38 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
12 mA @ 1000 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
Russian Federation
