NTE5908
Active - DIODE GEN PURP 800V 16A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 800V 16A DO4
NTE5908 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
800 V
Ток - средний ректификованный (Io)
16A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.23 V @ 50 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
12 mA @ 800 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5908 Инвентарь: 9000
5.0 / 5.0
2023-03-28 13:12
NPN транзисторы на ленте с некоторым запасом от продавца, высокий коэффициент усиления. Доставили через две недели. Доволен продуктом.
2023-04-03 13:20
Маркировка правильная, мультитестовая проверка показала соответствие конструкции и Н21. Осмотр под микроскопом выявил заусенцы на теле.
2023-03-30 15:37
Тиристоры не определяются тестером транзисторов. показывает обратную проводимость транзистора, с усилением 0.
Проверяются выключателем- измерителем, при закрытии управляющего электрода и анода. открывается и закрывается при закрытии катода и анода.
2023-04-05 05:13
Как описано. Работа.
2023-04-04 15:36
Проверено с помощью тестера видно, что этот транзистор, собранный по схеме 5 А без радиатора с подогревом до 220 градусов, не перегорел на радиаторе
Russian Federation
