NTE6110
Active - DIODE GEN PURP 600V 500A DO200AA
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 500A DO200AA
NTE6110 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
600 V
Ток - средний ректификованный (Io)
500A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.4 V @ 500 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
15 mA @ 600 V
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
DO-200AA
Рабочая температура - переход
-30 ℃ ~ 190 ℃
NTE6110 Инвентарь: 29200
5.0 / 5.0
2023-03-25 01:08
Элемент, как описано. Измерено тестером транзистора, сопротивление открытого канала 1,2 Ом. Доставка не долгая. Советую товар и продавцу.
2023-03-24 07:06
Через две с половиной недели с момента заказа трек был отслежен частично. Упакованы в почтовые и целлофановые мешки. Описание и количество соответствует. Я подключил 1 транзистор к тестеру для тестового распознавания, работающего.
2023-03-20 06:05
Все нормально!
2023-03-25 01:09
Хорошо выглядит. Показания тестера немного различаются. Продавец Спасибо.
2023-03-25 01:09
Заказ не дошел до меня!
Russian Federation
