NTE6112
Active - DIODE GP 1.2KV 500A DO200AA
Описание:
DIODE GP 1.2KV 500A DO200AA
NTE6112 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1200 V
Ток - средний ректификованный (Io)
500A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.4 V @ 500 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
15 mA @ 1200 V
Тип монтажа
Chassis Mount
Корпус устройств поставщика
DO-200AA
Рабочая температура - переход
-30 ℃ ~ 190 ℃
NTE6112 Инвентарь: 6000
5.0 / 5.0
2023-02-14 09:06
Он пришел быстро, хорошо упакован
2023-02-15 00:20
Нормальный. Мы проверим это.
2023-02-14 08:55
Ц? транзистори працюють, замовляв sche irf740 виявилися?дробкою.
2022-09-21 23:26
Они определены, св.
2023-02-15 00:19
Исходный текст. работают нормально
Russian Federation
