NTE6162
Active - DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO8
Описание:
DIODE GEN PURP 1.4KV 150A DO8
NTE6162 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1400 V
Ток - средний ректификованный (Io)
150A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.1 V @ 200 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
5 mA @ 1400 V
Корпус
DO-203AA, DO-8, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-8
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 190 ℃
Russian Federation
