NTE649G
Active - DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
Описание:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
NTE649G Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
400 V
Ток - средний ректификованный (Io)
1A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.3 V @ 1 A
Скорость
Fast Recovery = 200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
150 ns
Ток - обратная утечка @ Vr
5 μA @ 400 V
Емкость @ Vr, F
10pF @ 4V, 1MHz
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
DO-214AC (SMA)
Рабочая температура - переход
-55 ℃ ~ 150 ℃
NTE649G Инвентарь: 47600
5.0 / 5.0
2023-03-28 00:58
О вигляде Непогани, ложке Мидны
2023-03-26 01:15
Быстрая доставка, товар как описано, еще не проверено, рекомендован продавец
2023-03-26 01:12
Спасибо. Это все здорово.
2023-03-27 06:07
Я пока не могу это проверить. Я добавлю обратную связь после проверки.
2022-11-14 13:59
Давно ходил, установил весь класс звука неплохой.
Ukraine
