FDD5680
Active - MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
Описание:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
FDD5680 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
60 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
8.5A (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
21mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
1835 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
2.8W (Ta), 60W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Russian Federation
