FDMD8680

Active - MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
Описание:
MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN
FDMD8680 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Тип FET
2 N-Channel (Dual)
Напряжение стока до источника (VDSS)
80V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
66A (Tc)
Rds On (макс.) @ Id, Vgs
4.7mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id
4V @ 250μA
Заряд ворот (Qg) (макс.) @ Vgs
73nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
5330pF @ 40V
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
8-Power 5x6
FDMD8680 Описание
Onsemi FDMD8680 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET, предназначенный для использования в приложениях, требующих высокой мощности и надежности. Этот компонент идеально подходит для работы в области управления питанием, а также в различных радиочастотных приложениях. Ниже представлено подробное описание его характеристик и спецификаций на русском языке.
### Введение в Onsemi FDMD8680
FDMD8680 — это мощный полевой транзистор, который предлагает отличные характеристики по сравнению с традиционными биполярными транзисторами. Он разработан для работы в условиях высокой мощности и обеспечивает надежную работу в различных электронных схемах. Этот MOSFET особенно подходит для применения в системах, где требуется высокая скорость переключения и низкие потери энергии.
### Основные характеристики
1. Тип устройства: N-канальный MOSFET
2. Максимальное напряжение сток-исток (V_DS): 30 В
3. Максимальный ток стока (I_D): 80 А
4. Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)): 0.008 Ом при V_GS = 10 В
5. Рабочая температура: от -55°C до +150°C
6. Корпус: TO-220, что обеспечивает хорошее теплоотведение и простоту монтажа.
### Спецификации
- Напряжение сток-исток (V_DS): 30 В
- Ток стока (I_D): 80 А (при температуре 25°C)
- Сопротивление R_DS(on): 0.008 Ом (при V_GS = 10 В)
- Максимальная мощность рассеяния (P_D): 94 Вт (при температуре 25°C)
- Входное напряжение (V_GS): от -20 В до +20 В
- Время переключения: Быстрое время переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений.
### Применения
Onsemi FDMD8680 может использоваться в различных областях, включая:
- Управление питанием: В источниках питания, инверторах и преобразователях, где требуется высокая эффективность.
- Аудиоусилители: В усилителях мощности для обеспечения высокой производительности и качества звука.
- Переключающие устройства: В схемах, где требуется быстрое и надежное переключение.
### Преимущества
- Высокая эффективность: Низкое сопротивление в открытом состоянии позволяет снизить потери энергии и тепловыделение.
- Широкий диапазон рабочих температур: Обеспечивает надежную работу в различных условиях, что делает его универсальным компонентом.
- Простота в использовании: Легко интегрируется в существующие схемы благодаря стандартному корпусу TO-220.
### Заключение
Onsemi FDMD8680 является отличным выбором для разработчиков, ищущих надежный и эффективный N-канальный MOSFET для своих проектов. Его высокие характеристики, широкий диапазон применения и простота интеграции делают его идеальным компонентом для современных электронных устройств, требующих высокой мощности и надежности.
FDMD8680 Инвентарь: 32200
5.0 / 5.0

2023-03-25 13:57
Это так, как описано. Товар был доставлен довольно быстро с момента заказа. Упакованный в полиэтиленовый пакет, ничего не было повреждено. Протестированы транзисторы с помощью тестера Т7, они распознаются правильно, параметры всех транзисторов близки друг к другу. Я еще не проверял в деле, я купил его для нового проекта. Не общались с продавцом, не было необходимости. Доволен товаром, спасибо продавцу.

2023-03-24 01:04
Все понятно! Продавец – это уважение.

2023-03-25 01:05
Спасибо всем доброе. h21e n-p-n около 170, p-n-p имеет более 200

2023-03-25 01:06
Все нормально, рекомендую продавцу!

2023-03-25 01:11
Всё хорошо. Элемент, как описано. Приехали вовремя без задержек.