FDMS86300
Active - MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Описание:
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
FDMS86300 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
80 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
19A (Ta), 80A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4.5V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
86 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
7082 pF @ 40 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
8-PQFN (5x6)
FDMS86300 Инвентарь: 950
5.0 / 5.0
2023-03-24 01:07
Транзисторы хорошего качества. Продавец Спасибо. Рекомендую.
2023-03-22 01:15
Прекрасно! Транзисторы на 100% оригинальны и работают. Вариация параметров минимальна, и это при том, что все транзисторы из разных партий. Собрать пару вовсе не проблема. Длина проводов достаточна для монтажа без рукоделия. Товар и продавец однозначно рекомендую!
2023-03-25 02:02
Доставили быстро, как описано, довольны продуктом.
2023-03-24 00:02
Хороший продавец. Быстрая доставка. Цена соответствует качеству.
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
Russian Federation
