FDP8860
Active - POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Описание:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
FDP8860 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
30 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
80A (Tc)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
2.5V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
12240 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
254W (Tc)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 175 ℃ (TJ)
Корпус устройств поставщика
TO-220-3
FDP8860 Инвентарь: 15550
5.0 / 5.0
2023-01-25 06:25
Доставка продавцу уважение
2022-10-18 01:43
В Краснодар он приехал через месяц, я не проверял работу.
2023-01-27 06:13
Похоже, упаковка так себе, но она цельная и не изогнутая
2023-01-26 02:07
Заказ был сделан 24 декабря 2022 года, и получен по почте в Миассе Челябинской области 19 января 2023 г. Перед заказом читайте различные отзывы, в том числе отрицательные. Заменен 30f131 на 42
2023-01-25 14:16
Микрухи не новы. Качество идеальное. Стертый, сшитый использованный Виллем
Russian Federation
