FDS2582
Active - MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
Описание:
MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SOIC
FDS2582 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Сток к источнику напряжения (Vdss)
150 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25℃
4.1A (Ta)
Напряжение привода (Макс Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs
66mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250μA
Плата за ворота (Qg) (Макс) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Входная емкость (Ciss) (Макс) @ Vds
1290 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (Макс)
2.5W (Ta)
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
FDS2582 Инвентарь: 16250
5.0 / 5.0
2023-03-25 02:02
Доставили быстро, как описано, довольны продуктом.
2023-03-24 00:02
Хороший продавец. Быстрая доставка. Цена соответствует качеству.
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
Russian Federation
