H11B2SD

Obsolete - OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
Описание:
OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
H11B2SD Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Напряжение - Изоляция
5300Vrms
Коэффициент передачи тока (мин)
200% @ 1mA
Коэффициент передачи тока (макс.)
-
Время включения/выключения (тип)
25µs, 18µs
Время подъема / спада (тип.)
-
Тип вывода
Darlington with Base
Напряжение - выход (макс.)
25V
Напряжение - прямое (Vf) (тип.)
1.2V
Ток - постоянный ток вперед (если) (макс.)
100 mA
Насыщенность Vce (макс.)
1V
Рабочая температура
-55 ℃ ~ 100 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус устройств поставщика
6-SMD
H11B2SD Инвентарь: 650
5.0 / 5.0

2023-03-24 02:02
Используются транзисторы, все целые, емкость затвора 4000 PF плюс-минус 20 PF.<br>Продавец Спасибо.

2023-03-25 13:57
Это так, как описано. Товар был доставлен довольно быстро с момента заказа. Упакованный в полиэтиленовый пакет, ничего не было повреждено. Протестированы транзисторы с помощью тестера Т7, они распознаются правильно, параметры всех транзисторов близки друг к другу. Я еще не проверял в деле, я купил его для нового проекта. Не общались с продавцом, не было необходимости. Доволен товаром, спасибо продавцу.

2023-03-24 01:04
Все понятно! Продавец – это уважение.

2023-03-25 01:05
Спасибо всем доброе. h21e n-p-n около 170, p-n-p имеет более 200

2023-03-25 01:06
Все нормально, рекомендую продавцу!