ISL89412IBZ
Active - IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
Описание:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
ISL89412IBZ Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Управляемая конфигурация
Low-Side
Тип ворот
N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
4.5V ~ 18V
Логическое напряжение - VIL, VIH
0.8V, 2.4V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
2A, 2A
Тип входа
Inverting, Non-Inverting
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
-
Время подъема / падения (тип.)
7.5ns, 10ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
ISL89412IBZ Инвентарь: 35400
5.0 / 5.0
2021-07-18 04:01
Все ОК. Хорошие товары. Хороший продавец.
2021-06-21 11:38
Мы приехали через 20 дней.
2021-11-03 14:45
С виду, качество хорошее, я проверю позже!
2021-08-19 21:51
Получил спасибо
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
Russian Federation
