Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Интегральные схемы (ИС)  /  Память  /  Samsung Semiconductor K4FBE3D4HM-TFCL

K4FBE3D4HM-TFCL

Active Icon Active - IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps
K4FBE3D4HM-TFCL
K4FBE3D4HM-TFCL
Samsung Semiconductor
Изготовитель:
Часть Mfr #
Категория:
даташит:
Описание:
IC DRAM LPDDR4 32 Gb 4266 Mbps
 
3D Model Icon

K4FBE3D4HM-TFCL Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Категория
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Tray
Статус продукта
Active
Тип монтажа
Volatile
Формат памяти
DRAM
Технологии
LPDDR4
Объем памяти
32 Gb
Организация памяти
x32
Интерфейс памяти
Parallel
Тактовая частота
-
Время цикла записи — слово, страница
-
Время доступа
-
Напряжение - Питание
1.8 / 1.1 / 1.1 V
Рабочая температура
-40 ~ 95 ℃
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
200 FBGA
Корпус устройств поставщика
200 FBGA

K4FBE3D4HM-TFCL Инвентарь: 9200

История Цена
0
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-06-21 11:38
Мы приехали через 20 дней.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-11-03 14:45
С виду, качество хорошее, я проверю позже!
Author Icon
Зарина Абдуллаева
Location Icon Uzbekistan
5 stars
2021-08-19 21:51
Получил спасибо
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-08-13 05:47
Привет дорогие товары получили спасибо очень много диоды массивные я думаю 60A тяга упакована очень хорошо
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2021-12-06 09:43
Всё в порядке. Продавец Спасибо

K4FBE3D4HM-TFCL Связанные детали

K4F6E3S4HB-KHCL
K4F6E3S4HB-KFCL
K4F8E304HB-MGCJ
K4F8E304HB-MGCJ
K4FBE3D4HM-TFCL
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F6E3S4HM-MGCJ
K4F8E3S4HD-GHCL
K4F8E3S4HD-GUCL
K4F6E3S4HM-THCL
K4F4E3S4HF-GHCJ
K4F2E3S4HA-TFCL
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *