12F100
Active - DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP 1KV 12A DO4
12F100 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
1000 V
Ток - средний ректификованный (Io)
12A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 12 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 1000 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 150 ℃
12F100 Инвентарь: 15400
5.0 / 5.0
2023-02-01 11:04
Для применения)
2023-02-01 05:05
Заказали сот-89 в корпусе, отправили су-8. Имейте в виду, доставка быстрая.
2023-02-01 03:06
Заменили, заработали! Это похоже на pd223, вы все еще можете заменить yt2604, sdc603, xy6112.
2023-02-03 22:43
Тестер компонентов проверил, что все 10 транзисторов BD912 были в порядке с hFE в диапазоне от 141 до 157. Отгрузка в США шла очень быстро.
2023-02-03 22:43
Тестер компонентов проверил, что все 10 транзисторов BD911 были в порядке с hFE в диапазоне от 44 до 47. Отгрузка в США шла очень быстро.
Ukraine
