1N1401
Active - DIODE GEN PURP 400V 100A DO8
Описание:
DIODE GEN PURP 400V 100A DO8
1N1401 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
400 V
Ток - средний ректификованный (Io)
100A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 200 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
50 μA @ 400 V
Корпус
DO-205AA, DO-8, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-8
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N1401 Инвентарь: 28200
5.0 / 5.0
2023-03-22 06:49
Все 100 штук не проверили только 20.<br>Коэффициент пропускания тока транзисторов 2222 от 277 до 310. Также была проверена грузоподъемность, транзистор выдерживает 600 Ма.<br>Основание транзисторов перевернуто по отношению к общепринятому.<br>Я не знаю такой базы от производителей китайских транзисторов.<br>Фото во вложении.
2023-03-23 00:12
Продавец и рекомендуемый продукт.
2022-09-30 16:29
Спасибо за заказ! Это нормально!
2023-03-21 01:08
Элемент получен, как описано. Рекомендую продавца.
2023-03-23 10:09
Высокое качество рекомендуется использовать.
Ukraine
