1N1612RA
Active - DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4
Описание:
DIODE GEN PURP REV 50V 16A DO4
1N1612RA Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип диода
Standard, Reverse Polarity
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
50 V
Ток - средний ректификованный (Io)
16A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.3 V @ 30 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
10 μA @ 50 V
Корпус
DO-203AA, DO-4, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-4
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N1612RA Инвентарь: 49500
5.0 / 5.0
2023-02-01 02:08
Завод. Быстро отправлено.
2023-02-02 00:07
Пришли быстро все работы
2023-02-04 03:11
Так же, как и описание, инструменты были протестированы, можно взять, благодаря продавцу
2023-02-01 02:10
Это так, как описано. Спасибо продавцу.
2023-01-04 15:11
Заказал 20 микросхем, продавец насыпал их в один мешок, как семена... Все ножки на микросхемах согнуты, на одной ноги вообще нет...... !!!
Russian Federation
