1N3293
Active - DIODE GEN PURP 600V 100A DO8
Описание:
DIODE GEN PURP 600V 100A DO8
1N3293 Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
600 V
Ток - средний ректификованный (Io)
100A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 200 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
50 μA @ 600 V
Корпус
DO-205AA, DO-8, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-8
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N3293 Инвентарь: 1600
5.0 / 5.0
2023-04-03 13:20
Маркировка правильная, мультитестовая проверка показала соответствие конструкции и Н21. Осмотр под микроскопом выявил заусенцы на теле.
2023-03-30 15:37
Тиристоры не определяются тестером транзисторов. показывает обратную проводимость транзистора, с усилением 0.
Проверяются выключателем- измерителем, при закрытии управляющего электрода и анода. открывается и закрывается при закрытии катода и анода.
2023-04-05 05:13
Как описано. Работа.
2023-04-04 15:36
Проверено с помощью тестера видно, что этот транзистор, собранный по схеме 5 А без радиатора с подогревом до 220 градусов, не перегорел на радиаторе
2023-03-28 04:13
Товар прибыл раньше
шр. Все в порядке.
Russian Federation
