1N412RB
Active - DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO8
Описание:
DIODE GEN PURP REV 100V 100A DO8
1N412RB Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Тип диода
Standard, Reverse Polarity
Напряжение - реверс постоянного тока (Vr) (Макс)
100 V
Ток - средний ректификованный (Io)
100A
Напряжение - прямое (Vf) (Макс) @ If
1.2 V @ 200 A
Скорость
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Обратное время восстановления (trr)
-
Ток - обратная утечка @ Vr
50 μA @ 100 V
Корпус
DO-205AA, DO-8, Stud
Корпус устройств поставщика
DO-8
Рабочая температура - переход
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N412RB Инвентарь: 41400
5.0 / 5.0
2023-04-02 06:42
В Киеве было 2,5 тыжнів. Рекомендация продавца
2023-03-22 06:49
Проверенный коэффициент пропускания транзисторов 2907 был от 400 до 450,рекомендую
изделие так, как описано продавцом.
2023-04-03 14:24
Класс, купил кучу, устал заказывать отдельно
2023-03-28 12:04
Все высочайшего уровня
2023-04-06 07:00
Очень доволен товаром, спасибо большое продавцу.
Ukraine
