L6389ED
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
Описание:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE HI/LO
L6389ED Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
17V (Max)
Логическое напряжение - VIL, VIH
1.1V, 1.8V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
400mA, 650mA
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
Время подъема / падения (тип.)
70ns, 40ns
Рабочая температура
-45 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
L6389ED Инвентарь: 24800
5.0 / 5.0
2023-04-15 23:37
Работая, можно увидеть размер кристалла
2023-04-11 16:45
При сверке с помощью мультиметра-рабочего. Как они будут на практике Xs. Продавец так себе, не хочет возвращать средства при браке.
2023-04-18 05:09
Все в порядке
2023-04-12 04:06
Я еще не пробовал. Упакован в пластиковую коробку. Все целиком.
2023-04-11 13:57
Я еще не ввел его в платеж. В Новосибирск приехали за 2 недели, очень быстро. 1 шт = 110 руб.
Russian Federation
