L6491D

Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
Описание:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
L6491D Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 20V
Логическое напряжение - VIL, VIH
1.45V, 2V
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
4A, 4A
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
Время подъема / падения (тип.)
15ns, 15ns
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 125 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
14-SO