L6571BD013TR
Active - IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
Описание:
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
L6571BD013TR Спецификация
Характеристика продукта
Значение атрибута
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Управляемая конфигурация
Half-Bridge
Тип ворот
IGBT, N-Channel MOSFET
Напряжение - Питание
10V ~ 16.6V
Логическое напряжение - VIL, VIH
-
Ток - Пиковый выход (источник, приемник)
170mA, 270mA
Тип входа
RC Input Circuit
Высокое боковое напряжение - макс (Bootstrap)
600 V
Время подъема / падения (тип.)
-
Рабочая температура
-40 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Surface Mount
Корпус
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус устройств поставщика
8-SOIC
L6571BD013TR Инвентарь: 28650
5.0 / 5.0
2023-03-24 02:02
Используются транзисторы, все целые, емкость затвора 4000 PF плюс-минус 20 PF.<br>Продавец Спасибо.
2023-03-25 13:57
Это так, как описано. Товар был доставлен довольно быстро с момента заказа. Упакованный в полиэтиленовый пакет, ничего не было повреждено. Протестированы транзисторы с помощью тестера Т7, они распознаются правильно, параметры всех транзисторов близки друг к другу. Я еще не проверял в деле, я купил его для нового проекта. Не общались с продавцом, не было необходимости. Доволен товаром, спасибо продавцу.
2023-03-24 01:04
Все понятно! Продавец – это уважение.
2023-03-25 01:05
Спасибо всем доброе. h21e n-p-n около 170, p-n-p имеет более 200
2023-03-25 01:06
Все нормально, рекомендую продавцу!
Russian Federation
