Категории
Новые поступления
Контроль качества
Отзывов
Главная страница  /  Дискретные полупроводники  /  Транзисторы - Двухполюсный (BJT) - Единственный  /  STMicroelectronics MJD122-1

MJD122-1

Active Icon Active - TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
MJD122-1
MJD122-1
STMicroelectronics
Изготовитель:
Часть Mfr #
даташит:
Описание:
TRANS NPN DARL 100V 8A TO251
 
3D Model Icon

MJD122-1 Спецификация

Характеристика продукта
Значение атрибута
Изготовитель
Серия
-
Упаковка
Bulk
Статус продукта
Active
Тип транзистора
NPN - Darlington
Ток - коллектор (Ic) (Макс)
8 A
Напряжение - пробой эмиттера коллектора (Макс)
100 V
Насыщение Vce (Макс) @ Ib, Ic
4V @ 80mA, 8A
Ток - отсечка коллектора (Макс)
10μA
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) (Мин) @ Ic, Vce
1000 @ 4A, 4V
Мощность - макс.
20 W
Частота - Переход
-
Рабочая температура
150 ℃ (TJ)
Тип монтажа
Through Hole
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Корпус устройств поставщика
TO-251 (IPAK)

MJD122-1 Инвентарь: 18600

История Цена
$1.02000
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-04-03 14:12
В оригинальной упаковке. Еще не проверили.
Author Icon
Elşad Sevinc
Location Icon Azerbaijan
5 stars
2023-04-04 19:39
Быстрая доставка. Прекрасно. Спасибо.
Author Icon
Роман Гнатюк
Location Icon Ukraine
5 stars
2023-04-04 08:54
Все отлично, быстрая доставка.
Author Icon
Anonymous
Location Icon Russian Federation
5 stars
2023-03-30 07:22
Доставка происходит быстро в упаковке. Продукт прекрасен. Упаковано хорошо. Ноги все целые.
Author Icon
Дмитро Гаркуша
Location Icon Ukraine
5 stars
2023-04-05 05:27
Получено, прошло меньше месяца. Это так, как описано. Продавец и рекомендуемый продукт.

MJD122-1 Связанные детали

MJD50T4G
MJD112G
MJD112RLG
MJD122G
MJD112TF
MJD112-1G
MJD112TF
MJD112TF
MJD112RL
MJD112T4
MJD112-TP
MJD44H11-1G
Отправить запрос
Номер детали *
Изготовитель
Контакт *
E-Mail *
Количество *
Страна доставки *